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Puce 24FC512-I/P 512k I2c™ CMOS Eeprom périodique d'IC de mémoire instantanée

Quantité d'ordre minimum : 10 PCS
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Puce 24FC512-I/P 512k I2c™ CMOS Eeprom périodique d'IC de mémoire instantanée
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Caractéristiques
Fabricant Part Number: 24FC512-I/P
Type: circuit intégré, IC
Description: 24FC512-I/P, paquet original d'usine originale
Garantie: 30~90 jours
Condition: Original 100%
Lieu d'origine: original
Informations de base
Lieu d'origine: PHILIPPIN
Nom de marque: Microchip Technology
Certification: ROHS COMPLIANT
Numéro de modèle: 24FC512-I/P
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: Emballage standard
Délai de livraison: Dans 3days
Conditions de paiement: T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer
Capacité d'approvisionnement: 500
Description de produit

PUCE 24FC512-I/P - TECHNOLOGIE d'IC de MÉMOIRE INSTANTANÉE de PUCE - 512K I2C™ CMOS EEPROM PÉRIODIQUE

 

Détail rapide :

 

512K I2C CMOS EEPROM périodique

 

 

Description :

 

Microchip Technology Inc. 24AA512/24LC512/24FC512 (24XX512*) est de 64K X (512 Kbit) de la publication périodique 8 un PROM effaçable électriquement, capable de l'opération à travers une large gamme de tension (1.8V à 5.5V). Elle a été développée pour des applications telles que des communications personnelles et par acquisition de données avancés et de basse puissance. Ce dispositif fait également écrire une page la capacité de jusqu'à 128 octets de données. Ce dispositif est capable d'aléatoire et séquentiel lit jusqu'à la frontière 512K.

Les lignes fonctionnelles d'adresse permettent jusqu'à huit dispositifs sur le même autobus, pour l'espace d'adressage jusqu'à de 4 Mbit. Ce dispositif est disponible en IMMERSION en plastique standard de 8 bornes, SOIC, DFN et 14 paquets de l'avance TSSOP.

 

 

Applications :

 

• Technologie de basse puissance de CMOS :

- Le maximum écrivent à courant 5 mA à 5.5V

- Le maximum a lu le μA 400 actuel à 5.5V

- Na de réserve du courant 100, typique à 5.5V

• autobus à 2 fils d'interface série, I2C™ compatible

• Cascadable pour jusqu'à huit dispositifs

• l'effacement Auto-synchronisé/écrivent le cycle

• la page de 128 octets écrivent le mode disponible

• maximum de 5 Mme écrire la durée de cycle

• Protection contre l'écriture de matériel pour la rangée entière

• Entrées de déclencheur de Schmitt pour la suppression de bruit

• 1 000 000 s'effacent/pour écrire des cycles

• Protection de décharge électrostatique > 4000V

• Conservation de données > 200 ans

• 8 goupille paquets de PDIP, de SOIC (208 mil), et de DFN

• 14 paquet de l'avance TSSOP

• finitions sans Pb disponibles

• Températures ambiantes :

- (i) industriel : -40°C à +85°C

- (e) des véhicules à moteur : -40°C à +125°C

 

 

Caractéristiques :

 

Fiches techniques 24AA512, 24LC512, 24FC512
Photos de produit 8-DIP
Modules de formation sur le produit I2C EEPROM périodique
Conception/spécifications de PCN paquet de 8L SOIJ/électrodéposition 28/Feb/2013
Forfait standard 60
Catégorie Circuits intégrés (IC)
Famille Mémoire
Série -
Emballage Tube
Format - mémoire EEPROMs - publication périodique
Type de mémoire EEPROM
Capacité de la mémoire 512K (64K X 8)
Vitesse 400kHz, 1MHz
Interface ² C, publication périodique à 2 fils d'I
Tension - approvisionnement 1,7 V | 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C | 85°C
Paquet/cas 8-DIP (0,300", 7.62mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-PDIP
Page de catalogue 1085 (PDF CN081)
D'autres noms 24FC512IP
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Téléphone : +8618098974141
Caractères restants(20/3000)