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la Manche extérieure du bâti IRFR024NTRPBF D PAK N de transistor de puissance élevée de 17a 55v 45w

Quantité d'ordre minimum : 10 PCS
MOQ
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Prix
la Manche extérieure du bâti IRFR024NTRPBF D PAK N de transistor de puissance élevée de 17a 55v 45w
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traits
Caractéristiques
Number modèle :: IRFR024NTRPBF
Type: circuit intégré
Nom de marque: Original brand
Type de paquet: SMD
Port: Shenzhen ou Hong Kong
Délai d'exécution: jours 1-3working
Surligner:

transistor de la puissance 55v élevée

,

transistor de la puissance 45w élevée

,

IRFR024NTRPBF

Informations de base
Lieu d'origine: Usine originale
Nom de marque: IOR
Certification: ROHS COMPLIANT
Numéro de modèle: IRFR024NTRPBF
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: Emballage standard
Délai de livraison: Dans 3days
Conditions de paiement: T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer
Capacité d'approvisionnement: 1000
Description de produit

CANAL EXTÉRIEUR 55V 17A 45W de d PAK n du TRANSISTOR IRFR024NTRPBF de PUISSANCE ÉLEVÉE de BÂTI

 

Description de produit détaillée
Type de FET : N-canal Température de fonctionnement : -55°C | 175°C
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : 1 (illimité) Statut sans plomb/statut de RoHS : Sans plomb/RoHS conforme
Lumière élevée :

transistors de transistor MOSFET de puissance élevée

,

transistor de transistor MOSFET de canal de n

 

 

Bâti extérieur RoHS du N-canal 55V 17A 45W d'IRFR024NTRPBF D-PAK conforme

Caractéristique
l Sur-résistance très réduite
l bâti de surface (IRFR024N)
l avance droite (IRFU024N)
l a avancé la technologie transformatrice
l commutation rapide
l entièrement avalanche évaluée
Type de FET N-canal  
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)  
Vidangez à la tension de source (Vdss) 55V  
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 17A (comité technique)  
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 75 mOhm @ 10A, 10V  
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA  
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 20nC @ 10V  
Vgs (maximum) ±20V  
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 370pF @ 25V  
Caractéristique de FET -  
Dissipation de puissance (maximum) 45W (comité technique)  
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)  
Montage du type Bâti extérieur

 

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