bâti extérieur IRF640NSTRLPBF de transistor de transistor MOSFET de la Manche de 200v N

Bâti D2PAK de la surface 150W (comité technique) du transistor 200V 18A (comité technique) de transistor MOSFET de N-canal d'IRF640NSTRLPBF

? Technologie transformatrice avancée ?

Estimation dynamique de dv/dt ? température de fonctionnement 175°C ?

Commutation rapide ? Entièrement avalanche évaluée ?

Facilité de la parallélisation ?

Conditions simples d'entraînement

Description

Les transistors MOSFET de puissance de la cinquième génération HEXFET® du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications. Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie. Le D2Pak est un paquet extérieur de puissance de bâti capable du logement à mourir des tailles jusqu'à HEX-4. Il fournit la capacité de la puissance la plus élevée et le plus bas possible onresistance en n'importe quel paquet extérieur existant de bâti. Le D2Pak convient aux applications à forte intensité en raison de sa basse résistance interne de connexion et peut absorber jusqu'à 2.0W dans une application extérieure typique de bâti. La version d'à travers-trou (IRF640NL) est disponible pour l'application lowprofile.

Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Emballage	Bande et bobine (TR)
Statut de partie	Actif
Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	200V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	18A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (maximum)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	1160pF @ 25V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	150W (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	D2PAK
Paquet/cas	TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB