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Aperçu /Produits/Transistor de puissance de transistor MOSFET/Série intégrée de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 de transistor de puissance de transistor MOSFET

Série intégrée de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 de transistor de puissance de transistor MOSFET

Quantité d'ordre minimum : 10 PCS
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Prix
Série intégrée de FET de fossé de la puce SUD50P06-15L-E3 de transistor de puissance de transistor MOSFET
traits Galerie Description de produit Demandez une citation
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Caractéristiques
Numéro de modèle: SUD50P06-15L-E3
Type: circuit intégré
Lieu d'origine: Fabricant original
D/C: Newst
Port: Shenzhen ou Hong Kong
Délai d'exécution: jours 1-3Working
Surligner:

Transistor de puissance intégré de transistor MOSFET

,

Puce de transistor de puissance de transistor MOSFET

,

SUD50P06-15L-E3
Informations de base
Lieu d'origine: Usine originale
Nom de marque: VISHAY
Certification: ROHS
Numéro de modèle: SUD50P06-15L-E3
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: Emballage standard
Délai de livraison: Dans 3days
Conditions de paiement: T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer
Capacité d'approvisionnement: 1000
Description de produit

LE CIRCUIT INTÉGRÉ IC DE P-CH ÉBRÈCHENT LA SÉRIE DE FET DE FOSSÉ DE SUD50P06-15L-E3 TO252

 

Les marchandises conditionnent : Tout neuf Statut de partie : Actif
Sans plomb/Rohs : Plainte Fonction : Transistor MOSFET
Montage du type : Bâti extérieur Paquet : TO-252
Lumière élevée :

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor de canal de n
 

 

Série du transistor MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET de puce d'IC du circuit intégré SUD50P06-15L-E3

P-canal 60 V (D-S), transistor MOSFET de 175 °C

CARACTÉRISTIQUES
1, transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®
2, la température de jonction de 175 °C
3, conforme à RoHS 2002/95/EC directif

Fabricant Vishay Siliconix  
Série TrenchFET®  
Emballage ? Bande et bobine (TR) ?  
Statut de partie Actif  
Type de FET P-canal  
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)  
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60V  
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 50A (comité technique)  
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 3V @ 250µA  
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 165nC @ 10V  
Vgs (maximum) ±20V  
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 4950pF @ 25V  
Caractéristique de FET -  
Dissipation de puissance (maximum) 3W (merci), 136W (comité technique)  
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 15 mOhm @ 17A, 10V  
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)  
Montage du type Bâti extérieur  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-252, (D-PAK)  
Paquet/cas TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63

 

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Produit Tag:

Transistor de puissance de transistor MOSFET

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