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Bas Vcesat complément PBSS4160T du transistor de puissance de transistor MOSFET de NPN PNP

Quantité d'ordre minimum : 10 PCS
MOQ
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Prix
Bas Vcesat complément PBSS4160T du transistor de puissance de transistor MOSFET de NPN PNP
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Caractéristiques
Fabricant Part Number: PBSS4160T, 215
Nom de marque: original
Type: circuit intégré
Lieu d'origine: Fabricant original
C.C: Lastest nouveau
Délai d'exécution: jours 1-3working
Surligner:

Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de Vcesat

,

Transistor de puissance de transistor MOSFET de NPN

,

PBSS4160T

Informations de base
Lieu d'origine: Usine originale
Nom de marque: Original
Certification: Standard Certification
Numéro de modèle: PBSS4160T, 215
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: Emballage standard
Délai de livraison: Dans 3days
Conditions de paiement: T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer
Capacité d'approvisionnement: 1000
Description de produit

BAS VCESAT COMPLÉMENT PBSS4160T DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE TRANSISTOR MOSFET DE NPN PNP

 

Les marchandises conditionnent : Tout neuf Statut de partie : Actif
Sans plomb/Rohs : Plainte Fonction : NPN
Montage du type : Bâti extérieur Paquet : SOT23
Lumière élevée :

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor de canal de n

 

 

Bas VCEsat transistor de PBSS4160T NPN dans SOT23 un complément en plastique du paquet PNP à PBSS5160T

CARACTÉRISTIQUES
• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur VCEsat
• Capacité élevée IC et missile aux performances améliorées de courant de collecteur
• Le rendement élevé, réduit la génération de chaleur
• Réduit le secteur de panneau de circuit imprimé requis
• Remplacement rentable pour le transistor BCP55 et BCX55 de puissance moyenne.

APPLICATIONS
• Segments importants d'application :
– Puissance des véhicules à moteur de 42 V
– Infrastructure de télécom
– Industriel.
• Gestion de puissance :
– Conversion C.C-à-C.C
– Canalisation d'alimentation commutation.
• Conducteur périphérique
– Conducteur dans de basses applications de tension d'alimentation (par exemple lampes et LED)
– Conducteur de charge inductive (par exemple relais, sonneries et moteurs).

Fabricant Nexperia USA Inc.  
Série -  
Emballage ? Bande et bobine (TR)  ?  
Statut de partie Actif  
Type de transistor NPN  
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 1A  
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 60V  
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 250mV @ 100mA, 1A  
Actuel - coupure de collecteur (maximum) 100nA  
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 200 @ 500mA, 5V  
Puissance - maximum 400mW  
Fréquence - transition 220MHz  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Montage du type Bâti extérieur  
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-236AB (SOT23)  
Numéro de la pièce bas PBSS4160

 

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