Name: C.C à haute tension simple SIHB22N60E-E3 ROHS de transistor de puissance de transistor MOSFET
Brand: VISHAY
SKU: SIHB22N60E-E3
Rating: 5 (178 reviews)

C.C à haute tension simple SIHB22N60E-E3 ROHS de transistor de puissance de transistor MOSFET

Quantité d'ordre minimum : 10 PCS

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Caractéristiques

Fabricant Part Number: SIHB22N60E-E3

Nom de marque: original

Type: circuit intégré

Lieu d'origine: Fabricant original

C.C: Lastest nouveau

Délai d'exécution: jours 1-3Working

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Transistor de puissance simple de transistor MOSFET

Transistor de puissance de transistor MOSFET ROHS

C.C à haute tension de transistor de transistor MOSFET

Informations de base

Lieu d'origine: Usine originale

Nom de marque: VISHAY

Certification: ROHS

Numéro de modèle: SIHB22N60E-E3

Conditions de paiement et expédition

Détails d'emballage: Emballage standard

Délai de livraison: Dans 3days

Conditions de paiement: T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer

Capacité d'approvisionnement: 1000

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C.C à haute tension simple SIHB22N60E-E3 ROHS de transistor de puissance de transistor MOSFET

Description de produit

TRANSISTOR de PUISSANCE SIMPLE À HAUTE TENSION de transistor MOSFET SIHB22N60E - PAQUET D2PAK d'E3 600V 21A

Type de FET :

N-canal

Température de fonctionnement :

-55°C | 150°C (TJ)

Paquet :

TO263-3 D2PAK

Lumière élevée :

transistor de transistor MOSFET de canal de n

transistor de canal de n

Transistor de puissance simple à haute tension de transistor MOSFET SIHB22N60E - paquet D2PAK d'E3 600V 21A

TRANSISTORS MOSFET SIMPLES DE N-CANAL DE MSL 1

Spécifications techniques de produit

Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Emballage	Tube
Statut de partie	Actif
Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	600V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	21A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (maximum)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	1920pF @ 100V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	227W (comité technique)
Température de fonctionnement	-55°C \| 150°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	D2PAK
Paquet/cas	TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB

OPA2107AU/2K5	TI	PTH05050WAZ	TI
THCV231-3L/CD	TI	TMS320DM8168CCYG2	TI
THC63LVD1024-1LTN	TI	PTH08T231WAD	TI
TMS320F28035PNT	TI	TPS65920A2ZCHR	TI
INA126PA	TI	LMH0344SQ/NOPB	TI
TPS73533DRBR	TI	AD5412AREZ-REEL7	TI
TPS54319RTER	TI	ADS1241E/1K	TI
IC12715001	TI	TL16C552AFNR	TI
THCV235-TB	TI	PGA204AU/1K	TI
THCV236-ZY	TI	ADS8505IDWR	TI
ADS8326IDGKR	TI	TMS320LF2407APGEA	TI
ADS7816U/2K5	TI	AM3703CUSD100	TI
DAC7558IRHBR	TI	TMS320DM8148CCYEA0	TI
ADSP-21489KSWZ-4B	TI	LMZ23610TZE/NOPB	TI
TPS75801KTTR	TI	TPS2115ADRBR	TI

Produit Tag:

Téléphone :

+8618098974141

C.C à haute tension simple SIHB22N60E-E3 ROHS de transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de puissance simple de transistor MOSFET

Transistor de puissance de transistor MOSFET ROHS

C.C à haute tension de transistor de transistor MOSFET

transistor de transistor MOSFET de canal de n

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