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La Manche IRFP4227PBF du transistor de puissance de transistor MOSFET de C.C IRFP4227 N à -247AC

Quantité d'ordre minimum : 10 PCS
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Prix
La Manche IRFP4227PBF du transistor de puissance de transistor MOSFET de C.C IRFP4227 N à -247AC
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Caractéristiques
Fabricant Part Number: IRFP4227PBF
Type: circuit intégré
Lieu d'origine: Fabricant original
Description: Nouveau dans original
C.C: Lastest nouveau
Délai d'exécution: jours 1-3working
Surligner:

Transistor de puissance de transistor MOSFET de C.C

,

La Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET N

,

IRFP4227PBF
Informations de base
Lieu d'origine: Usine originale
Certification: Standard Certification
Numéro de modèle: IRFP4227PBF
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: Emballage standard
Délai de livraison: Dans 3days
Conditions de paiement: T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer
Capacité d'approvisionnement: 1000
Description de produit

TRANSISTOR DE PUISSANCE DE TRANSISTOR MOSFET DE CANAL D'IRFP4227 N À -247AC IRFP4227PBF

 

Les marchandises conditionnent : Tout neuf Statut de partie : Actif
Sans plomb/Rohs : Plainte Fonction : Transistor MOSFET
Montage du type : Par le trou Paquet : TO247
Lumière élevée :

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor de canal de n
 

 

TRANSISTOR TO-247AC IRFP4227PBF de TRANSISTOR MOSFET de CANAL d'IRFP4227 200V 65A N

Caractéristiques ?
Technologie transformatrice avancée ?
Les paramètres principaux optimisés pour le PDP des applications de commutateur soutiennent, de récupérations de l'énergie et de passage ?
La basse estimation d'EPULSE pour réduire la dissipation de puissance dans le PDP commutateur soutiennent, de récupérations de l'énergie et de passage

Applications ?
Bas QG pour la réponse rapide ?
Capacité répétitive élevée de courant de pointe pour l'opération fiable ?
Temps de montée de moins-value et pour la commutation rapide ? la température de jonction 175°C fonctionnante pour la rugosité améliorée ?
Capacité répétitive d'avalanche pour la robustesse et la fiabilité

Fabricant Infineon Technologies  
Série HEXFET®  
Emballage ? Tube ?  
Statut de partie Actif  
Type de FET N-canal  
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)  
Vidangez à la tension de source (Vdss) 200V  
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 65A (comité technique)  
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 5V @ 250µA  
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 98nC @ 10V  
Vgs (maximum) ±30V  
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 4600pF @ 25V  
Caractéristique de FET -  
Dissipation de puissance (maximum) 330W (comité technique)  
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 25 mOhm @ 46A, 10V  
Température de fonctionnement -40°C | 175°C (TJ)  
Montage du type Par le trou  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-247AC  
Paquet/cas TO-247-3

 

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Produit Tag:

Transistor de puissance de transistor MOSFET

Transistor de puissance élevée

transistor de transistor MOSFET de canal de n

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