transistor de puissance de transistor MOSFET de 600v 16a TO-247-3 IRFPC60PBF par le trou

N-canal 600V 16A (comité technique) 280W (comité technique) de TRANSISTOR de transistor MOSFET d'IRFPC60PBF par le trou TO-247-3

CARACTÉRISTIQUES
• Estimation dynamique de dV/dt
• Avalanche répétitive évaluée
• Trou de montage central d'isolement
• Commutation rapide
• Facilité de la parallélisation
• Conditions simples d'entraînement
• Disponible sans d'avance (Pb)

DESCRIPTION
Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay fournissent au concepteur la meilleure combinaison de la commutation rapide, de la conception robuste de dispositif, de la basse sur-résistance et de la rentabilité. Le paquet TO-247 est préféré pour les niveaux commercial-industriels de puissance plus élevée d'applications où exclure l'utilisation des dispositifs TO-220. Le TO-247 est semblable mais supérieur au paquet TO-218 premier en raison de son trou de montage d'isolement. Il fournit également une plus grande ligne de fuite entre les goupilles pour répondre aux exigences de la plupart des caractéristiques de sécurité.

Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Emballage	Tube
Statut de partie	Actif
Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	600V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	16A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	210nC @ 10V
Vgs (maximum)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	3900pF @ 25V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	280W (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	400 mOhm @ 9.6A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type	Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur	TO-247-3
Paquet/cas	TO-247-3